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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간
반도체공학 실험
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Annealing
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Silcidation
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반도체공학 실험 Annealing
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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
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페이지
3페이지
가격
1,000원
등록일
2015.02.23
파일종류
워드(doc)
참고문헌
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