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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간
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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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반도체공학
일렉트로닉스 : MALVINO, 대영사
김태중 : 일반전자공학실험, 상학당
이성호·최창규 역 : 전자회로실험, Pearson International Edition 5th ed
조세황(1996) : 최신 전자 회로, 진영사
Greg Parker, 김종성 역 : 기초 반도체 소자, 대웅출판사 Ⅰ.
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실험을 하면서 매우 많은 것을 알게 되었다. 그리고 우리 생활 속에서 많이 쓰이는 제품들에 들어있는 반도체가 모두 이러한 단계들을 거친다는 것을 알게 되었고, 좀 더 완성도 높고, 성능 좋은 반도체를 만들기 위해서 앞으로도 화학공학 분
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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