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e at the gate>
<그림15 linear region일때 MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 off
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이를 약 반전 전류(weak-inversion current), 또는 역치하 누설(sub-threshold leakage)이라 한다.
<그림 14 VGS - Vth 따른 drain-to-source 전압과 drain 전류 사이관계>
② VGS > Vth 및 VDS < VGS - Vth (Triode or linear region )일때
트랜지스터는 켜지고, drain 과 source
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VDS) 개발 최종보고서 (한국도로공사 교통연구원 과제), (주)코스텍시스템, 2014.11 1. 서론
2. 광센서의 기술적인 내용과 기능적인 내용
3. 광센서의 미래 IoT 관련 활용 서비스
4. 음향센서의 기술적인 내용과 기능적인 내용
5. 음향센서의
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VDS) 개발 최종보고서 (한국도로공사 교통연구원 과제), (주)코스텍시스템, 2014.11
장기진 (2013). 실사용자를 중심으로 한 스마트폰 수용 요인에 관한 연구. e-비즈니스 연구, 11(4), 361-379. 1.서론
2.광센서의 기술적인 내용과 기능적인 내용
3.
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② 채널(channel) : n형 반도체 내에서 공핍층을 제외한 영역은 VDS에 의해 자유 전자가 이동하는 영역.
③ VGS를 가할 경우 : VGS=0[V]일 때는 공핍층은 VDS에 의한 것이었지만, VGS를 증가시키면 그 전압이 역방향 전압이므로, VGS=0[V}일 때보다 공핍층
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