Well pormation

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측면 확산을 줄이고 소자밀도 증가 하부 근처에서 높은 도핑농도를 갖기 때문에 우물저항성이 열 확산된 우물보다 낮아 latch-up 문제 최소화가능. 1.MOS소개 및 CMOS process 2.p-Well pormation 3.n-well pormation 4.twin-well pormation 5.latch-up??

CMOS MOS, Well Well pormation, Well pormation in CMOS,

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등록일 2007.04.10
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