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Ⅰ. 실험 목적 : 차세대 디스플레이가 계속 출현하면서, AMOLED와 TFT-LCD의 성능도 같이 향상되었다. 그러면서 TFT소자에도 advanced된 성능과 저가격의 소자가 요구되었다. 그 중 Oxide와 Organic 반도체가 가장 주목 받고 있다. Oxide TFT를 만들 수 있는
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TFT substrate and manufacture thereof
- Patterning of indium-tin oxide (ITO) for precision-cutting and aligning a liquid
- crystal display (LCD) panel
- Fabrication method and structure of an ITO anode containing nickel points for an
- OLED to selectively light
- ITO 도전막, 그
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TFT-LCD 및 RFID 태그 등 다양한 분야에 적용될 수 있어 최근 주목을 받고 있다. 기존 OTFT는 OTFT를 구성하는 활성층에 ZnO를 많이 사용한다. 하지만 ZnO를 사용하는 트랜지스터들은 트랜지스터의 동작이 원활히 이루어지도록 높은 전하이동도를 확
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owth 하기에 더 특성이 좋다는 연구 결과를 가지고 준비된 것이었다. 내용 면에서 내가 잘 이해할 수 없는 용어들이 많이 나왔다. 물론 Display쪽을 생각하고 있는 나였지만 TFT기판 및 반도체 기판으로 사용될 수 있는 ZnO에 대한 연구발표에서 이
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ZnO
(4)유기투명전극재료 (탄소 나노 튜브)
3. 투명전극재료 특성의 평가방법
(1)광학적 특성
(2) 전기적 특성
(3) 에칭 특성
4. 투명전극재료의 응용분야 및 그에 따른 성능값
(1) 각종 평판형 디스플레이의 투명전극
① LCD(liquid crystal
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ZnO, IGZO 등 TFT에 사용되는 재료의 물성 변화와 그에 따른 전기적 특성 차이를 실험을 통해 관찰하였습니다. 이를 통해 공정의 정밀 제어가 소자 특성에 미치는 영향을 체감하였고, 계측 공정의 정확도가 불량률에 직결된다는 사실도 실감하게
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ZnO 물질의 단점을 보완하기 위한 IGZO의 등장과 같은 layer의 물성의 발달 과정과, 그 발달 과정에 따른 반도체의 특성 차이를 공부하며 반도체 공정에 분야에서 일하겠다는 결심을 하였습니다.
물론 현업에서 필요한 역량은 대학교 학부생으로
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