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ic)
제너다이오드 등을 스위칭 트랜지스터에 직렬로 접속하여 잡음에 대한 한계 값 전압을 높게 한 논리 게이트로, 전원 전압도 보통 TTL의 3배인 15V를 사용.
높은 잡은 여유 도를 갖도록 한 특수한 회로.
열 전압이 발생하는 곳에 사용함.
참고
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상태
[8] MOSFET- Channel에 절연 Gate를 사용하여 D-S간 전류를 제어.
[9] FET Switching Circuits.
[10] FET Switching Circuits.
[11] Thyristor-SCR(역저지 3단자 사이리스터)-실리콘 제어 정류소자
[12] SCR 턴온 과정
[13] SCR 턴 오프 방법
[14] IGBT
[15] IGBT
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Bipolar 트랜지스터를 이용하여 단위 셀 면적을 최소선폭으로 축소 할수 있다.
표 1-2 비휘발성 메모리기술 비교 (reproduced from Tech Dig.of IEDM 2001,Paper36.5)
표 1-3 현재 상변화 메모리의 기술 수준
6.결론
현재 비휘발성 상변화메모리 개발의 선두주
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