|
ogic)
제너다이오드 등을 스위칭 트랜지스터에 직렬로 접속하여 잡음에 대한 한계 값 전압을 높게 한 논리 게이트로, 전원 전압도 보통 TTL의 3배인 15V를 사용.
높은 잡은 여유 도를 갖도록 한 특수한 회로.
열 전압이 발생하는 곳에 사용함.
참고
|
|
|
and Switching Algebra
3.2 Logic Circuits
3.3 Registers and Their Applications
3.4 Programmable Arrays
3.5 Arithmetic Logic Units
3.6 Programmable Logic
Logic Elements
79.1 IC Logic Family Operation and Characteristics
79.2 Logic Gates (IC)
79.3 Bistable Devices
79.4 Optic
|
|
|
상태
[8] MOSFET- Channel에 절연 Gate를 사용하여 D-S간 전류를 제어.
[9] FET Switching Circuits.
[10] FET Switching Circuits.
[11] Thyristor-SCR(역저지 3단자 사이리스터)-실리콘 제어 정류소자
[12] SCR 턴온 과정
[13] SCR 턴 오프 방법
[14] IGBT
[15] IGBT
|
|
|
Bipolar 트랜지스터를 이용하여 단위 셀 면적을 최소선폭으로 축소 할수 있다.
표 1-2 비휘발성 메모리기술 비교 (reproduced from Tech Dig.of IEDM 2001,Paper36.5)
표 1-3 현재 상변화 메모리의 기술 수준
6.결론
현재 비휘발성 상변화메모리 개발의 선두주
|
|
메뉴펼치기
