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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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IGBT, MOSFET 둥과 같은 전압제어 소자이떠 따라서구동이 쉽고 구동전력이 적게 소모된다. 또 GTO 사이리스터와 같은 온드롭을 갖지만GTO 사이리스터처럼 턴오프시 매우 큰 전류괼스는 필요없다. 스위칭 속도는 수 usec정도 되어 GTO 사이리스터보다
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BJT 소자에 대한 특성분석
1) Maximum ratings
2) THERMAL CHARACTERISTICS
3) ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4) Small-Signal Characteristics
3. 이론적인 설계과정
1) 제약조건
2) 기본적인 회로 소자
3) 설계과정
(1) 직류해석
(2) 교류 해석
4. CAD 도구(OrCA
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스위칭속도는 100kHz정도이다. 따라서 대전력 고주파응용(즉, 오디오, VHF/UHF, 마이크로웨이브 앰프)에 가장 알맞다. 1. SIT
2. RCT
3. SIFH
4. LASCR
5. FET-CTH
6. SCR
7. SSR
8. 트라이액
9. GTO
10. IGBT
11. IGCT
12. PUT
13. 트랜지스터
14. BJT
15. JFET
16. MO
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(4) 과부하 보호
(5) 실속 방지
(6) 순시 정전 보호
(7) 지락 보호
(8) 결상 보호
(9) 방열판 과열 보호
(10) 제동저항기 과부하 보호
(11) EEPRON, CPU &CT ERROR
(12) 외부 트립
(13) 복전후 재시동 방지
(14) 수전 과전압 보호
(15) 파워 모듈 보호
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