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사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다. 그림 2-36의 (a)는 IGBT의 전압-전류특성을, (b)는 이상적인 특성을 나타낸다. 그림2-36에서 보듯이 IGBT는 양방향 전압저지 특성과 단방향 전류특성을 갖고, 온 ·오프제꺼방법은 MOSFET와 같다.IGBT는
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다이오드를 갖는 사이리스터브리지
표 8-2를 완성하시오.
부하
출력전압
(V)
출력전류
(A)
출력
= ×
(W)
유도부하
표 8-2 환류다이오드를 갖는 제어브리지의 파형
회로의 동작에 미치는 환류다이오드의 효과는?
Power Supply에 전압조절단자를 0에
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부하, 평활리액터, 직류전압전류계, 교류전압계, 3상 전력계/무효전력계, Tandem Rheostats, 사이리스터와 전력용 다이오드 모듈을 설치한다.
■ 2. 사이리스터 점호모듈을 설치한다. Enclosure/Power Supply에 전류 Isolator와 전압 Isolator를 설치한다.
■ 3
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다이오드(Diode)
p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 것으로 정류작용을 일으키는 결정체
일반적으로 반도체의 재료 :규소(Si, 실리콘)
어떤 물질을 첨가하는가에 따라서 P형 반도체가 되기도 하고, N형 반도체가 됨
다이오드의 용도
전원
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사이리스터 (GTO), 트라이액(triac), 광트리거 사이리스터 (LTT), 정전유도 사이리스터 (SI 사이리스터)등이 있다.
(3) 2극 진공관의 전류-전압특성을 알아보고, 이것을 그림 4의 다이오드 특성과 비교하라.
2극 진공관을 발명한 사람은 포레스트라는
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