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전력용량은 그다지 큰편은 아니며, 전압용량은 최대 1000v내외, 전류용량은 최대 100A내외가 된다. 따라서MOSFET는 정밀 서보 드라이브나 컴퓨터나 정보기기에 장착되는 SMPS(SwitchedMode Power Supply) 등과 같이 소형의 전력을 다루고 고주파 스위칭을
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전력증폭기, 임피던스 변환기
Ⅵ. 전자공학과 다이오드
1. 구성
다이오드는 단일의 결정(단결정)중에 생성과정으로 P형반도체와 N형반도체의 두 가지 영역을 만든 것으로서 그 경계면(접합면) 부근에는 반송자가 존재하지 않는 층(공핍층)이
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diode
(3) 구조
≪ 그 림 ≫
Photodide는 PN접합 diode에 빛이 투과할 때 Photovolaieffect[광기전력효과]로인해 전자, 정공이 접합사이를 투과하면서 역전류가 흐르는 현상을 이용한다. 1. 광센서
2. Photo diode
(1) 정의
(2) 특징
(3) 구조
광센서 photo transistor, Photo diode 포토 다이오드, 포토 트랜지스터(광센서,Photo diode,photo transistor,포토 다이오드,포토 트랜지스터,센서공학,전자,회로),
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NOR 게이트는 NAND 게이트와 마찬가지로 NOT 게이트, OR 게이트, NAND 게이트 등으로 응용될 수 있다
2. NOR 게이트 두 개를 직렬로 연결시키면 0R 게이트 역할을 하게 된다
3. 세 개의 NOR 게이트를 연결시키면 AND 게이트로 동작하게 된다
참고문헌
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전자 회로, 진영사
Greg Parker, 김종성 역 : 기초 반도체 소자, 대웅출판사 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 다이오드의 전압?전류 특성
Ⅲ. 다이오드의 극성 판별법
Ⅳ. 포토다이오드
1. 동작원리
2. PHOTO DIODE 의 대표 특성
1) V-I 특성
2) 분광감도
3) 응
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