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GTO 사이리스터의 전류 제어방식의 드라이브 특성을 개선한 전압제어 스위치이며,GTO 사이리스터와 비교가 안될 정도로 매우 높은 턴오프 전류이득을 갖는다.
그림 2-37의 (a)와 (b)는 P형 MCT의 회로기호와 내부에 SCR사이리스터를 포함하 는 등가
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1. 사이리스터란
1-1 개요
p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭으로서, 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다. 그러나 일반적으로는 SCR이라고 불리는 역저지 3단자 사이리스터를 가리키ㅕ, 실리콘 제어 정류소자를 말
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GTO(Gate Turn-off Thyristor), ASCR(Asymmetric Thyristor), MCT(MOS Controlled Thyristor) 등 여러 형태가 있다.
특히 MCT는 1993년경 미국 해리스 반도체에서 처음 생산하였으며, MOS 게이트로 제어되는 가장 이상적인 전력반도체 소자라고 평가되고 있다.
SCR의 구조
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SCR을 온 상태로 만들 수도 있다.
(4) 일단 SCR이 온 상태가 되면 아래의 그림과 같이 게이트 신호를 제거하여도 오프 상태로 변화되지는 않는다. 단지 위에서 소개한 GTO형의 SCR만이 게이트에 음의 펄스를 인가하여 오프상태로 만들 수 있다.
2)
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SCR을 온 상태로 만들수도 있습니다.
(4) 일단 SCR이 온 상태가 되면 아래의 그림과 같이 게이트 신호를 제거하여도 오프 상태로 변화되지는 않습니다. 단지 위에서 소개한 GTO형의 SCR만이 게이트에 음의 펄스를 인가하여 오프상태로 만들 수 있
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