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사이리스터의 전류 제어방식의 드라이브 특성을 개선한 전압제어 스위치이며,GTO 사이리스터와 비교가 안될 정도로 매우 높은 턴오프 전류이득을 갖는다.
그림 2-37의 (a)와 (b)는 P형 MCT의 회로기호와 내부에 SCR사이리스터를 포함하 는 등가회
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1. 사이리스터란
1-1 개요
p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭으로서, 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다. 그러나 일반적으로는 SCR이라고 불리는 역저지 3단자 사이리스터를 가리키ㅕ, 실리콘 제어 정류소자를 말
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사이리스터(SCR)
SCR(Silicion-controlled-rectifier)
-실리콘 제어용 정류기
4층 반도체 소자
1957년 미국 GE에서 SCR 개발.
사이리스터의 특성
VA>VK
J1, J3 ㅡ> 순방향 바이어스
J2, ㅡ> 역방향 바이어스 (누설전류만흐름)
다이리스터는
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충분히 갖췄다고 생각한다. 1. 사이리스터 (SCR)
구조
동작
1) SCR의 턴 온(Turn-on)과정
2) SCR의 턴 오프(Turn-off)방법
용도
2. 실험 데이터와 MATLAB SIMULINK 결과 비교
※ Simulink 구성도
※ EXCEL 그래프
※ MATLAB 그래프
3. 결과 및 고찰
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사이리스터의 회로 기호 대표적인 전류-전압 특성
- 전력용 스위칭 분야에서 가장 중요한 반도체 소자의 하나
- p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭
- 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다.
- 일반적으로는 SCR (Silicon-
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