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회로
R
L
시정수(이론값)
시정수(측정값)
(a)
1 K
100 mH
1 s
0.6 s
(b)
1 K
200 mH
2 s
1.5 s
(c)
1 K
50 mH
0.5 s
0.4 s
다. 커패시턴스 측정 <표 5.1>
커패시턴스 측정 회로
정현파(sine wave), 2V, 주파수는 1000Hz(주기 1msec)와 2000Hz
커패시터 전압 측정
저항 전압 측
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측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하라. 단, 가능한 한 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하라.
≪ 그 림 ≫
(a) 건전지 내부 저항이 Ri이라 하고 외부의 부하를 Ro라 하고 Push button(PB)이 open되어
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t L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://mini_wor1d.blog.me/150084651944
이상적인 클리퍼 회로
전자 회로의 기초 - 김재요 저
클리퍼 회로 측정
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY
http://mini_wor1d.blog.me/150084651944
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측정한 값 같다. 이상적으로 0.5㎃ 근처 값이 나와야 하는데 터무니 없는 값이 나온 것 같다. DMM조작 미숙이거나 혹은 저항을 10㏀을 사용하지 않아 이렇게 오차가 크게 난 것 같다. 다음 실험부터는 주의해야겠다.
7) 측정 회로도
-오른쪽 위의
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회로 >
① RLC회로상자에 저항, 코일, 콘덴서를 연결하여 R-L-C회로를 구성한다.
② <R-C회로> 실험에서와 같은 방법으로 실험하되 전류의 값을 10에서부터 시작한다.
5. 분석
표1 ) R - C 회로
Rm
(이론)
(측정)
(이론)
10
100
0.7V
2.0V
2.1190V
3V
0.07A
0.
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회로에서의 임피던스의 위상을 측정하고 그 개념을 이해하는 것이다. 임피던스란 교류회로에 있어서 전류가 흐르기 어려움을 나타내는 양을 나타내는 단위로서 회로에서 일종의 저항과 같은 역할을 한다.
단위는 Ω, 기호는 Z 가 쓰이며, 전
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회로에서 파형을 측정한다.
(2) 실험장비
① 계측장비: 오실로스코프, DMM, 함수발생기, 직류전원공급기
② 부품:
◇ 저항: 10kΩ (3개), 51kΩ (1개), 100kΩ (1개), 220kΩ (1개), 500kΩ pot (1개)
◇ 커패시터: 0.001ℳF (3개), 0.01ℳF (3개), 15&
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회로는 세 개의 저항이 직렬로 연결되어 있으므로 전체저항은 1000Ω이다. 옴의법칙을 이용해서 전류를 구해보면 I=V/R 이므로 5mA 이다.
실험을 하면서 주의 할 점은 전압측정시 멀티미터는 회로와 병렬로 접속된다. 이때 멀티미터의 내부 저항
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회로의 종류
tc
td
직렬
21초
18초
병렬
114초
97초
5.분석 및 토의
이번 실험은 축전지의 전기 용량과 R-C회로의 시상수 측정이다.
첫 번째 실험에서는 저항과 축전기를 직렬 병렬로 연결해서 완전충전과 방전에 대한 실험을 했다. 축전기에 전하
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회로의 시상수 측정을 확인하는 실험이었다.
첫 번째 실험에서는 저항과 축전기를 직렬로 연결해서 완전충전과 방전에 대한 실험을 하였다. 축전기에 전하가 충전되는 것을 축전기 양단의 전위차로 관찰 할 수 있었으며, 축전기의 방전 방법
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