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LED: Basic Electrical Properties
1. Diode의 Current-Voltage 특성
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≪ 그 림 ≫
1. p-n juction Diode에서,
Dp Dn
I = e ·A(√─────Na + √─────Nd)e ·e(v-vd)/kt
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┃ 1. Efficiencies, Emission Intensity
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1. Internal Quantum Efficiency
# of photons emitted fromactive/sec Pint/(hv)
ηint = ───────────────────── = ───────
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pGaN과 Ag 반사막 계면에 삽입한 경우, 집괴현상(agglomeration)방지 효과를 유발하여 계면을 안정화 시킬 수 있는 데 기인함.
- 이러한 노력으로 열적, 기계적, 및 소자 신뢰성 문제는 계면에 도입된 얇은 금속 및 투명전도성 박막층 도입으로 인해
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