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bandgap은
이는 일반적으로 알려져 있는 380nm보다 낮은 값으로, ZnO의 exciton binding energy가 크기 때문에 나타나는 현상이다. (ZnO의 exciton binding energy는 60meV라고 알려져 있는데, 이를 고려하여 계산하면 375nm가 나온다.)
bandgap은 conduction band와 valence b
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밴드로써 나타내는 것이다. Band theory에서 전도란 전자가 conduction band에 존재하는지 아닌지로 나타난다. Insulator의 경우 전자가 분포하고 있는 valence band가 conduction band로부터 매우 큰 에너지 차이를 보이며 떨어져 있다. 전도체인 금속의 경우에
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Phosphorus) 불순물을 첨가하면 마치 P의 valence band가 Ed에 존재하는 것과 같은 역할을 하게 된다. 따라서 Forbidden band gap이 Eg에서 Eg-Ed 만큼 줄어들게 되어 전자가 매우 쉽게 Conduction band로 이동하게 되어 전도도가 매우 증가하게 된다. 이를 앞에서
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Band bending 이유
15.Direct/indirect recombination의 비교
16.p-n junction diode의 동작
17.Depletion Region 이란?
18.step junction과 linearly graded junction profile 비교
19.Built in Voltage란?
20.diode와 tr의 I-V 특성 곡선
21.Early Effect(Base Width Modulation)
22.Shottkey(
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valence band
: 전자들이 들어 있는 band. Conduction band 보다 낮은 에너지 상태.
③ conduction band : 전자가 conduction band로 이동 → 전류흐름
④ 물질에 따라 band gap이 생기는 경우가 있고, 그렇지 않은 경우가 있다.
* Band gad이 있는 경우
1. Overlap of band
2
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