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여 둘러 싸여 있다. 따라서 Zn 원자로만 구성된 (0001)면은 상대적으로 양전하를 띄게 되고, 산소원자로만 구성된 (0001)면은 음전하를 띄게 된다. ZnO 결정 성장 메커니즘은 두 단계로 나누어서 볼 수 있다. 성장 unit의 형성과 unit의 상이한 접촉면
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02)가 존재함으로 Body-center cubic(bcc)구조가 아니다.
②h, k, l mixed (i.e. both even and odd number)
(100),(101),(102),(110),(103)가 존재함으로 Face-center cubic(fcc)구조가 아니다.
③(h+2k)=3n, l = odd(n is an integer)
해당하는 피크가 없으므로 이번실험에서 얻은 ZnO는 Hexa
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ZnO는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체로, 상온에서 3.37 eV의 bandgap을 갖는다.
의 관계를 가지므로, 3.37eV의 bandgap은
이는 일반적으로 알려져 있는 380nm보다 낮은 값으로, ZnO의 exciton binding energy가 크기 때문에 나타나는 현상이다. (ZnO의 exciton binding energy는 60meV라
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ZnO 분말, 알콜, 윤활유
① 전자 저울에 거름 종이를 올린 상태로 영점을 맞춘다.
② 알콜로 세척한 스푼을 이용하여 ZnO 3g씩 칭량한다.(6회 반복)
③ 몰드에 칭량된 시료를 조심히 넣고(양이 많아 흘리지 않도록 조심한다.) 압축기를 이용하여
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ZnO를 Al2O3기판위에 증착시킬때 기판의 온도를 증가시켜줌에 따라서 ZnO박막의 결정립의 크기의 증가와 결정성 증가가 이루어 질것이라는 예상을 XRD를 통해 확인해 볼 것이다. 또한 JCPDS 카드 상의 ZnO Diffraction Peak를 통해 앞서 계산한 구조인자
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ZnO, IGZO 등 TFT에 사용되는 재료의 물성 변화와 그에 따른 전기적 특성 차이를 실험을 통해 관찰하였습니다. 이를 통해 공정의 정밀 제어가 소자 특성에 미치는 영향을 체감하였고, 계측 공정의 정확도가 불량률에 직결된다는 사실도 실감하게
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ZnO 물질의 단점을 보완하기 위한 IGZO의 등장과 같은 layer의 물성의 발달 과정과, 그 발달 과정에 따른 반도체의 특성 차이를 공부하며 반도체 공정에 분야에서 일하겠다는 결심을 하였습니다.
물론 현업에서 필요한 역량은 대학교 학부생으로
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