전자회로 실험 결과보고서 - MOSFET의 기본 특성
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소개글

전자회로 실험 결과보고서 - MOSFET의 기본 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰

본문내용

1. 실험 과정 및 결과
◎ 사용한 기자재 및 부품 : DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 2n7000(NMOS) 1개, 10kohm 저항 1개, 100 ohm 저항 1개, 브레드보드, 전선 등.

(1) Vsig 전압을 6V, RD 저항을 100Ω으로 고정하고, VDD를 0V, 3V, 6V, 9V, 12V로 변화시키면서 VDS 전압, 드레인 전류 ID를 측정하여 [표9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다.

키워드

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  • 페이지수9페이지
  • 등록일2021.02.01
  • 저작시기2020.9
  • 파일형식기타(docx)
  • 자료번호#1144790
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