논리게이트

목차

1. 실습목적

2. 실습내용

3. 실습 기자재, 부품 및 자료

4. 이론

5. 실습방법 및 순서

6. 실습결과보고서

본문내용

<표 2 NAND 및 NOR 게이트의 응용>
입 력
출 력
A
B
회로(f)
회로(g)
전압(V)
논리
전압(V)
논리
0
0
0.24
0
0.21
0
0
1
4.17
1
0.22
0
1
0
4.17
1
0.21
0
1
1
4.17
1
4.18
1
(3) 종합검토 및 논의
(실습을 통하여 얻은 경험 또는 느낀 점, 검토 및 논의가 필요한 사항 등을 기술)
- 먼저 이번 실험은 그리 어려운 실험이 아니었다. 칩을 연결하고 적절하게 배선을 연결하고 전원공급기 로부터 5V의 전원을 공급하고 오실로 스코프로 측정을 하면서 정확히 5V가 오실로 스코프에 나타나게 한다.(전원을 5V를 공급한다고 해서 오실로 스코프에 정확한 값이 측정되지 않음을 주의!!-이는 전원으로부터 오실로스코프까지의 내부저항에서 오차가 나기 때문으로 예상된다) 각 논리 게이트를 핀 배열에 주의해 가며 출력값을 얻었다.
출력값을 얻는데는 별 어려움이 없었으나 NOR 게이트에서 핀배열이 조금 달라서 다른 실험값을 얻었으나, 이론 값과 달라서 다시 시도 하여 정확한 값을 얻을 수 있었다.
게이트를 응용하는 실험에서는 조금 어려운 것 같았으나 천천히 순서대로 연결해본 결과 이론값과 같은 실험값을 얻을 수 있었다.
우리 조가 실험한 값은 low 인지 high 인지 애매모한 값은 전혀 나오지 않았다. 그래서 구지 오차의 범위를 따질 필요가 없었다. 거의 5V에 가까운 값과 거의 0V에 가까운 실험값을 얻었기 때문이다.
위 실험을 통하여 실생활에 간단히 응용되는 것들을 직접 해볼 수 있을 것 같다는 생각을 해보았다.
<자료> 각 논리 게이트의 핀 배열

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