Photoconductive device(광전도소자)에 대하여

소개글

Photoconductive device(광전도소자)에 대하여에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Photoconductive device란?

Photoconductive effect에 대해

Photoconductive device의 분류

Photoconductive device의 장점

Photoconductive device의 용도

본문내용

Photoconductive device란? -정의 빛을 비추면 빛 에너지를 흡수해서 전하(電荷)를 운반하는 하전체(荷電體)의 양이 증가하고, 전기전도율이 증가하는 성질(광전도성:내부광전효과의 하나)을 가지는 소자(素子). Photoconductive effect에 대해 -Photoconductive effect의 정의 광을 조사하면 반도체에 케리어가 발생하여 그 전도율이 증가하는 현상을 광전도 효과(Photoconductive Effect)라 한다. -Photoconductive effect의 원리 반도체 에너지대의 금지대폭(Eg=Ec-Ev)보다 더 큰에너지의 빛이 조사될 때 가전자를 전도대로 여기시켜서 전자와 정공의 쌍이 형성된다. 이때 전자와 전공의 증가는 반도체의 도전율의 증가의 원인이 된다. 단위체적당 매초 f개의 전자와 정공쌍이 발생하면 도전율의 증가분( )은  = q(nn+p p)
Photoconductive device란?
-정의
빛을 비추면 빛 에너지를 흡수해서 전하(電荷)를 운반하는 하전체(荷電體)의 양이 증가하고, 전기전도율이 증가하는 성질(광전도성:내부광전효과의 하나)을 가지는 소자(素子).
Photoconductive effect에 대해
-Photoconductive effect의 정의
광을 조사하면 반도체에 케리어가 발생하여 그 전도율이 증가하는 현상을
광전도 효과(Photoconductive Effect)라 한다.
-Photoconductive effect의 원리
반도체 에너지대의 금지대폭(Eg=Ec-Ev)보다 더 큰에너지의 빛이 조사될 때 가전자를 전도대로 여기시켜서 전자와 정공의 쌍이 형성된다.
이때 전자와 전공의 증가는 반도체의 도전율의 증가의 원인이 된다.
단위체적당 매초 f개의 전자와 정공쌍이 발생하면
도전율의 증가분( )은
 = q(nn+p p)

키워드

Photoconductive,   광전도 소자,   반도체,   신소재공학,   진정한 공학인