[A+ 결과] 논리회로 실험 .ram (random access memory)실험 사진 및 파형 모두첨부

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본문내용

연결한다.
i. DRO/NDRO를 실험하기 위해 기억된 데이터를 다시 읽는다 (ME=0V, WE=+5V).
DO4 DO3 DO2 DO1 =
j. ME와 WE를 +5V에 연결시킨다.
k. Volatility를 실험하기 위해 16번 핀의 VCC 입력단을 +5V에서 분리한 후 다시 16번 핀에 +5V(VCC)를 연결시킨다. 그런 후 현재 기억된 데이터를 읽는다 (ME=0V, WE=+5V).
DO4 DO3 DO2 DO1 =
l. ME와 WE를 +5V에 연결한다.
6) 7489 Binary-Gray 코드변환
표 2에서 column A에는 memory location이 있고 column B에는 기억될 데이터 값이 있다. Memory location DCBA는 단지 ME와 WE에 +5V(H)를 연결시킬 때에만 변화한다. 이것은 memory에 적당하지 않은 데이터 값이 들어가는 것을 막고 먼저 기록되어 있는 데이터 값이 파괴되는 것을 막기 위해서이다. 기억되어 있는 데이터 값을 읽은 후 그 결과 값을 column C에 기록한다. (주의: 입력된 데이터는 2진수에 일치하는 memory location의 Gray 코드의 완전한 값이다. 기억된 데이터의 마지막 결과 값은 2진 입력이 Gray 코드로 변환된 값이다. )
②실험 분석
먼저 위와 같이 회로를 구성한 뒤 ME(memory enable)와 WE(write enable) 입력단을 +5v에 접속한 뒤 WRITE를 하기 위해 우선 아래 표에 있는 Address를 A1~A4입력단에 입력 시킨 뒤 데이터 입력단 D1~D4에 해당 데이터를 입력 후 ME와 WE입력단을 0에 접속 하고 다시 +5v에 접속하면 표의 결과 값대로 쓰기가 되었다.
READ기능을 확인해보기 위해서 기능표에 따르면 ME가 0, WE가 1이면 READ이므로, 우선 Address를 입력하고 ME를 접지시키고, WE를 +5V에 연결하였더니 각 Address에 해당하는 출력 값이 출력되었다.
64-bit IC RAM-type 7489는 SRAM으로 휘발성의 성질을 가지고 있어 전원이 끊기면 쓰여졌던 데이터가 파괴됨을 예비보고서에서 확인했었다. 이 휘발성의 성질을 확인 하기 위해 먼저 인 PIN16을 미연결한 상태에서 ME와 WE를 +5V에 연결한 후 Address를 1011로 설정한 후 ME는 0, WE=+5V로 하여 출력을 측정한 결과는 다음과 같았다.
= 0000
다시 ME와 WE를 +5V로 설정한 후 데이터 입력단에 0110을 입력하고 ME와 WE를 0으로 하여 WRITE하였다. 다시 ME와 WE를 +5V에 연결한 후 데이터를 READ하기 위해 ME만 접지 후 출력을 측정한 결과는 다음과 같았다.
= 1001
ME와 WE를 +5V에 연결한 후 기억된 데이터 값을 읽기 위해 ME만을 접지하여 결과를 측정한 결과
= 1001
로 기억됨을 확인하였다. ME와 WE를 +5V에 연결한 후 휘발성 성질을 확인 하기 위해 PIN16을 +5V에서 분리한 후 다시 연결시켰다. 그 후 기억된 데이터 값을 읽기 위해 ME만을 접지한 후 측정한 결과
= 0000
으로 측정 되었다. 이로써 휘발성 성질을 확인할 수 있었다.
Random 입력에 따른 출력을 측정한 결과 아래 표와 같은 결과 값이 그대로 나옴을 보고 7489가 각 Address에 해당하는 데이터를 반전 출력함을 알 수 있었다.
A
B
C
Address
Data to be stored
D4D3D2D1
Stored Data(complement) S4S3S2S1
Binary BCDA
0
0000
1111
0000
1
0001
1110
0001
2
0010
1100
0011
3
0011
1101
0010
4
0100
1001
0110
5
0101
1000
0111
6
0110
1010
0101
7
0111
1011
0100
8
1000
0011
1100
9
1001
0010
1101
10
1010
0000
1111
11
1011
0001
1110
12
1100
0101
1010
13
1101
0100
1011
14
1110
0110
1001
15
1111
0111
1000
《64 BIT RAM TABLE》
ME
PIN2
WE
PIN3
Operation
Condition of Outputs
L
L
Write
Complement of data inputs
L
H
Read
Complement of selected
H
L
Inhibit storage
Complement of data inputs
H
H
Do nothing
High

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