[트랜지스터][트랜지스터 구조][트랜지스터 동작원리]트랜지스터의 기원, 트랜지스터의 분류, 트랜지스터의 구조와 트랜지스터의 동작원리, 트랜지스터의 기본동작 및 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 판별법

소개글

[트랜지스터][트랜지스터 구조][트랜지스터 동작원리]트랜지스터의 기원, 트랜지스터의 분류, 트랜지스터의 구조와 트랜지스터의 동작원리, 트랜지스터의 기본동작 및 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 판별법에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Ⅰ. 개요

Ⅱ. 트랜지스터의 기원

Ⅲ. 트랜지스터의 분류
1. 일반 트랜지스터
1) 성장형 접합 트랜지스터(GROW JUNCTION TRANSISTOR)
2) 합금형 접합 트랜지스터(ALLOY JUNCTION TRANSISTOR)
3) 확산형 트랜지스터(DIFFUSION TRANSISTOR)
4) 에피탁형 트랜지스터
5) 플레나형 트랜지스터
6) 드리프트형 트랜지스터
2. 특수 트랜지스터
1) 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)
2) 접합 게이트형(Junctcion gate type: JFET)
3) 절연 게이트(Insulated gate type : IGFET)

Ⅳ. 트랜지스터의 구조

Ⅴ. 트랜지스터의 동작원리
1. 무신호때의 동작 상태
2. 양신호때의 동작 상태
3. 음신호때의 동작 상태

Ⅵ. 트랜지스터의 기본동작

Ⅶ. 트랜지스터의 장단점
1. 장점
2. 단점

Ⅷ. 트랜지스터의 판별법

참고문헌

본문내용

정도) 만이 베이스 영역의 전자와 재결합 할 수 있다. 이것이 바로 베이스 전류 ( 단위)를 형성한다.
이어서 베이스 에미터(BE)사이의 바이어스를 제거하고, 베이스 콜렉터(BC)접합을 역방향으로 바이어스 시킨 경우를 생각하자. 에미터에서 베이스로 흘러 들어간 정공전류 가운데 일부(약 1/100 정도)는 베이스의 전자와 재결합하여 베이스 전류를 형성한다. 그러나 나머지 대부분의 정공은 BC접합의 강력한 역방향 바이어스에 의 하여 BC공핍층으로 확산해 들어간다. 이것이 바로 콜렉터 전류 ( 단위)를 형성한다. 이 때 콜렉터 전류의 크기는 베이스 전류의 크기에는 비례하지만 BC접합의 역방향 바이어스 전압에는 거의 영향을 받지 않게 된다는 것에 주목할 필요가 있다.
pnp 트랜지스터에 인가된 두 바이어스 전압에 의한 다수캐리어와 소수 캐리어의 흐름을 나타낸 것을 나타내 보면, 다수 캐리어의 대다수는 역방향 바이어스된 BC 접합면을 가로질러 p형인 콜렉터 영역으로 확산된다는 점이다. 역방향 바이어스된 접합면을 넘어가는 것이 비교적 쉬운 이유는 n형인 베이스에서 소수캐리어가 p형인 콜렉터에서는 다수 캐리어가 된다는 사실을 생각하면 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
Ⅶ. 트랜지스터의 장단점
1. 장점
○ 소형이고 가벼우며 수명이 길다,
○ 저전압에서도 동작 시킬 수 있다.
○ 음극 가열이 필요 하지 않다.
○ 소비 전력이 적다.
○ 진공 용기를 요하지 않는다.
○ 기계적 충격에 강하다.
○ 스위칭 소자로서 우수한 특성을 나타낸다.
2. 단점
○ 적은 과도 전압에 파괴되기 쉽다.
○ 큰 출력을 얻기 어렵다.
○ 온도에 민감하여 온도 특성이 나쁘며, 고온에 약하다.
○ 진공관의 수 보다 많이 사용해야 한다. 즉 이득이 적다.
○ 고주파 특성이 좋지 못하다.(그러나 현재는 많이 개선 됐다)
○ 입력 임피던스가 낮으며, 역 내압도 낮다.
○ 대 전력용으로 제작하기 곤란하다.
Ⅷ. 트랜지스터의 판별법
가령 아래와 같은 TR 이 있다면 그 해석법은,
2 S C 1 8 4
(1) 2S 라는 뜻은 두번 접합 했다는 의미 이다 .즉 NPN형 이라면 N 과 P의 접합이 필요 하고 P와 N과의 접합이 필요하기 때문이다.
(2) C 라는 말은 NPN 형에 고주파 특성을 갖는 다는 의미이다.
즉 , A: PNP형 고주파 용
B: PNP형 저주파 용
C: NPN형 고주파 용
D: NPN형 저주파 용
(3) 그리고 184는 등록 번호를 의미 한다.
그외에 각 회사별로 표기법이 다소 차이는 있으나 이것이 기본이다. 그리고 sony에서 주로 쓰는 TR 의 표기법이다.
예 ) DT A 1 24 E F
__ __ _ __ _ _
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① DT : Digital Transistor 의 약 기호
② A : 극성의 약기호 (위를 참조)
③ 1 : 소자 사양 약기호
④ 24 : R1 저항의 약기호
예) 43: 4K (4.7KΩ)
14: 10K (10KΩ)
24: 20k (22KΩ)
⑤ E : R1/R2 저항 비율 약기호
예) E - R2/R1 = 1
Y - R2/R1 = 5/1
W - R2/R1 = 2/1
X - R2/R1 = 1/2
T - R1
⑥ F : 형상에 따른 약기호
F - FTR
A - ATR
S - SMT
U - UMT
K - SMT
L - FTL
V - ATV
N - TO-92
참고문헌
○ 김영태 외, 알기쉬운전자회로, 복두출판사
○ 김종훈(1998), 전자공학개론, 정림사
○ 반도체공학, 일진사
○ 이형옥, 집적회로를 위한 반도체 소자
○ 정학기, 알기쉬운 반도체 세미나
○ 천흥지, 반도체의 동료들, Gb 기획센터
○ Sedra·Smith, 마이크로 전자회로

키워드

트랜지스터,   반도체,   반송자,   컴퓨터,   전자