트랜지스터의 구조와 동작

본문내용

유니정크션(unijunction)이라고 부르는 이중베이스다이오드 등은 음성저항(陰性抵抗)을 가지고 있으므로 스위칭 작용을 할 수 있는 반도체소자이다.
광트랜지스터(phototransistor):게르마늄이나 실리콘 결정에 빛이 조사되면 그것으로 인하여 양공이나 전자가 결정 내에 발생하므로 빛의 입사는 이미터와 같은 역할을 하게 된다. 따라서 광전다이오드(photo diode)는 pn 접합면 가까이 또는 점접촉형에서는 접촉점 가까이에 빛을 조사시키고 있다. 이들은 원리로 보아서는 pnp 트랜지스터나 점접촉형 트랜지스터에 상당하는 것이며, 단지 빛의 에너지를 전기에너지로 변환하는 것뿐만 아니고 변환된 에너지를 트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다. 또 npn(또는 pnp) 접합트랜지스터의, 또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한 형은 빛을 조명하였을 때, 이에 따라 발생하는 전류가 매우 커서 빛감도는 광전관(光電管)의 100배 이상 되는 것도 있다.
3. 특징
트랜지스터는 반도체 다이오드의 기능을 포함시키면 증폭·발진·스위칭·정류·검파 등의 기능을 가지기 때문에 진공관과 다음과 같이 비교된다. 장점으로는 pnp와 npn의 두 가지 종류가 있는 것, 저전압·소전력으로 동작시킬 수 있는 것, 형태가 매우 작은 것, 수명이 긴 것 등을 들 수 있다. 단점으로는 특성이 온도의 지배를 받기 쉬운 것, 고온에서는 동작하지 못하는 것, 초고주파 등에서 아직 전력이 약한 것 등을 들 수 있다.

키워드

트랜지스터,   트랜지스터구조,   트랜지스터종류