[전자회로 실험] BJT의 특성 및 DC Bias 회로 - 실험

목차

실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다.

실험 11.2 1개의 전원을 사용하는 Discrete BJT(CA3046)의 바이어스 회로를 설계 및 실습한다.

실험 11.3 바이어스의 안정을 위해 에미터 저항 RE가 추가된 회로를 설계 및 실습 한다 (그림 9)

본문내용

0.5㎃가 아니면 실험 (1)로 돌아가 저항 R1과 R2의 값을 적절히 조절하여 IC=0.5㎃가 되도록 한다.
RC= 9.97 ㏀
VB= 0.717 V
VC= 5.515 V
IC= 0.4612 ㎃
IE= 0.0026 ㎃
IE=IB+IC= 0.4638 ㎃
그림 8. IC=0.5mA,VC=5V바이어스 회로
실험 11.3 바이어스의 안정을 위해 에미터 저항 RE가 추가된 회로를 설계 및 실습 한다 (그림 9)
(1) 이번 경우에는 같은 IC=0.5㎃를 얻기 위해서는 VB전압이 실험 11.2의경우보다 IERE만큼 다음 식과 같이 높아진다. VBE값은 앞의 실험 11.2에서구한값을사용하고 RE=1㏀이다.
이러한 VB값을 얻을 수 있고 바이어스회로 전류 조건을 만족하는 R1과 R2값을 구한다.
R1= 9.08 ㏀ R2= 1.196 ㏀
(2) VC=5.5V가 되도록 저항 RC값을 정하여 그림 9의 회로를 완성한다. 그리고 모든 DC 바이어스를 확인한다.
그림 9. 바이어스의 안정을 위해 Feedback 저항 RE가 연결된 바이어스 회로
RC= 1 ㏀VB= 1.1168 VVC= 5.589 V
IC= 0.4526 ㎃IE= 0.4591 ㎃IB=IE-IC= 0.0065 ㎃

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전자회로 실험,   전자회로,   BJT의 특성,   DC Bias 회로