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본문내용
토리소그래피 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 PR코팅 후의 소프트 베이킹, 노광 후의 post exposure baking, 현상 후의 하드 베이킹이 있다.
3.결론
지금까지 살펴본 포토리소그래피는 기계부품과 전자부품의 케미칼 에칭가공, 프린트기판 제조 등에 사용되고 있다.
또한 그 미세 가공성이 가장 발휘되고 있는 것은 반도체 집적회로 제조프로세스에서이다. 현재는 선폭이 1㎛ 정도의 가공이 가능하게 되었고 장래에는 더욱 미세화가 추진되어 IC와 LSI 등의 반도체분야 뿐만 아니라 모든 미세가공 공정에 도입될 것으로 기대된다.
반면에, 반도체 기판 위에 새길 수 있는 패턴의 크기는 빛의 파장이 짧을수록 작게 만들 수 있기 때문에, 짧은 파장의 광원을 포토리소그래피에 이용하려는 노력과 짧은 파장의 광원에 반응하는 새로운 감광물질을 개발하려는 연구가 진행되고 있다.
지금까지 반도체나 LCD 제조공정에서 포토리소그래피는 반드시 필요한 것이었지만, 나노미터 미세공정이 더욱 진화하면서 20나노급 이하에선 빛의 직진성이 떨어지는 문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다.
3.결론
지금까지 살펴본 포토리소그래피는 기계부품과 전자부품의 케미칼 에칭가공, 프린트기판 제조 등에 사용되고 있다.
또한 그 미세 가공성이 가장 발휘되고 있는 것은 반도체 집적회로 제조프로세스에서이다. 현재는 선폭이 1㎛ 정도의 가공이 가능하게 되었고 장래에는 더욱 미세화가 추진되어 IC와 LSI 등의 반도체분야 뿐만 아니라 모든 미세가공 공정에 도입될 것으로 기대된다.
반면에, 반도체 기판 위에 새길 수 있는 패턴의 크기는 빛의 파장이 짧을수록 작게 만들 수 있기 때문에, 짧은 파장의 광원을 포토리소그래피에 이용하려는 노력과 짧은 파장의 광원에 반응하는 새로운 감광물질을 개발하려는 연구가 진행되고 있다.
지금까지 반도체나 LCD 제조공정에서 포토리소그래피는 반드시 필요한 것이었지만, 나노미터 미세공정이 더욱 진화하면서 20나노급 이하에선 빛의 직진성이 떨어지는 문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다.
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