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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
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소개글

반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론

본문내용

1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를

키워드

반도체공학 실험,   Annealing,   Silcidation

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  • 가격1,000원
  • 페이지수3페이지
  • 등록일2015.02.23
  • 저작시기2015.2
  • 파일형식기타(docx)
  • 자료번호#957104
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