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박송배 : 신회로이론, 문운당
윤현민·이형기(1995) : 기초반도체공학
일렉트로닉스 : MALVINO, 대영사
김태중 : 일반전자공학실험, 상학당
이성호·최창규 역 : 전자회로실험, Pearson International Edition 5th ed
조세황(1996) : 최신 전자 회로, 진영사
Greg P
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▲ 이론치
▲ 오차 = -0.242V
▲ 오차의 원인은 도선과 멀티미터, power supply 등의 내부저항 때문인 것으로 추측된다.
▲multimeter에 흐르는 전류 I는 Vab/Rm이
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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모양이 나왔다.
4. 레퍼런스
- 신회로이론 / 박송배 / 문운당 / p235 ∼ p249
- 회로이론(6th Edition) / William H.Hayt, Jr / Mc Graw Hill / p. 276 ∼ 278
- 회로이론 / James W.Nilsson / 한티미디어 / p.620∼621 1. 관련이론
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 레퍼런스
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⑥ 참 고 문 헌 :
□ 알기쉬운 회로이론 / 박송배 / 문운당 / 1998. 10. 10
□ 최신 회로이론 / 한경희 외 3명 / 한올출판사 / 1996. 1. 15
□ 基礎 回路理論 / 박상희, 이문기 / 진영사 / 1993. 9.
□ 基礎 電氣電子 工學 實驗 / 大韓電子工學會 / 1994. 1.
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▲ 시상수
▲ R-L 회로에서 R에 비하여 L이 클수록 시정수가 커지며, 지수적 변화가 서서히 일어난다. 이것은 전류에 대한 L의 관성에 기인한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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