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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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반도체 관련 이론
1. 고체의 에너지 밴드 구조
2. 전자 이동도
3. 금속의 전기 비저항
4. 상용 합금의 전기적 특성
Ⅱ.반도체 공업
1. 반도체 공업의 특징
2. 반도체의 원리와 종류
3. 반도체 제조원료
4. 반도체 제조기술
참
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제조하여 측정해 보았다. 1. 실험목표
2. 이론적배경
1)sputter 와 PLD 의 원리
2)여러 spurtter의 종류와 원리
3. 실험방법
▶ 장비의 작동방법:
▶ Photolithography 공정
▶ 공정 순서
4. 실험 결과 및 분석
▶PLD
▶RF Sputter
5. 결론
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원리
28.Short Channel Effect와 방지 방법
29.Body Effect
30.Channel Length Modulation
31.Subthreshold Conduction Effect
32.DIBL(Drain-induced Barrier Lowering) Effect
33.Hot Carrier Effect
34.LDD(Lightly Doped Drain) 공정
35.Narrow Channel Effect
36.Flat Band Voltage 와 Vth
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비저항은 반비례한 관계를 가지게 된다. 홀 효과 측정(Hall Effect Measurements)
1. 실험 목적
2. 실험 관련 이론
2.1. 홀 효과(Hall Effect)
2.2. van der Pauw 원리
3. 실험 준비물
4. 실습
4.1. Sample 준비
4.1.1. 시편 준비
4.1.2. Ohmic 접촉 형성
4.1.
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