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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.
공정압력을 1mtorr, 4mtorr, 7mtorr, 10mtorr로 변화시켜서 Si위에 Ti를 증착
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박막 사이에 약 40나노미터(1나노미터=100만분의 1㎜) 두께의 씨앗층을 도입, 전기적 피로현상을 완벽하게 해결했을 뿐만 아니라 한번 쓰인 정보가 시간의 경과에도 불구하고 손실없이 유지되는 특성인 전하 보유능력도 기존의 PZT 커패시터에
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공학, 단백질공학, 신소재 기능소자 개발 등에서 연구가 활발히 수행되고 있으며, 이러한 분야에서의 연구 결과들이 집약되어 생물전자소자의 발전에 기여하여 우수한 기능을 갖는 소자가 개발되리라고 예상된다. 유럽과 일본은 수년안에 생
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신소재로서의 분류
1) 섬유강화플라스틱
2) 엔지니어링플라스틱
3) 생분해성플라스틱
4. 일반적 분류
1) 혼성중합물(copolymer)
2) 블렌드폴리머
3) 복합재료
4) 플라스틱 합성지
5) 발포 플라스틱
6) 합성목재
7) 플라스틱 반도체
8) 감광성중
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