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http://study.zum.com/book/12050 Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 실험원리
(1) 화학반응에서의 에너지 변화
(2) 중화반응
(3) 엔탈피(Enthalpy)
(4) Hess의 법칙
Ⅲ. 실험기구 및 시약
Ⅳ. 실험방법
Ⅴ. 실험결과
Ⅵ. 고찰
Ⅶ. 참고문헌
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가정 하에 실험값이 성립하는지 알아보았을 때 △H4에서 방출된 열량은 1135.594404J 이고 △H5에서 방출된 열량은 530.47644J, △H6에서 방출된 열량은 463.50532J 이다 △H5+△H6의 값은 993.98176J 이므로 오차값은 141.612644J이된다. 오차가 난 이유를 생각
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엔탈피 사이의 관계
H≡U+PV
따라서 엔탈피의 미분적 표현에 dU=dq+dW 관계를 적용하면 dH=dq+dw+PdV+VdP 로서 주어진다. 에너지와 엔탈피 사이 의 관계는 오른쪽 그림 에서 설명된다.
※ 엔탈피 변화의 측정 (The measurement of an enthalpy change)
실험적으로
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측정법에는 흔히 쓰이기도 하지만, 열량의 정량적인 측정에는 세심한 주의가 필요하다. 그러나 최근에는 정량적인 측정을 위한 연구가 되고 있으며 시료의 미량화에 의한 정량 분석도 시도되고 있다.
Reference
-Journal of Colloid and Interface Science, 2
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측정원리 12
2. 6. 1 Heat Capacity (Cp) 12
2. 6. 2 Glass Transition Temperature (Tg) 14
2. 6. 3 Crystalline Temperature (Tc) 16
2. 6. 4 Crystallinity 18
2. 6. 5 Melting Temperature (Tm) 20
3. 실험 방법 22
3. 1 Calibration 22
3. 2 세부 실
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of starch during heating in the amylograph. 213-220. 25 (1948)
8) Food Technology. Bourne, M.C., J.C. Moyer, and D.B. Hand.. Measurement of food texture by a universal testing machine. 20:522. (1966)
9) Szczesniak, A.S. . Correlating sensory with instrumental texture measurements- - an overview of r
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of UV molded spectroscopic component
He_Ne laser (λ= 632.8nm)
He_Cd laser (λ= 442nm)
Theoretical Angle
(degree)
-38.52
-13.95
Measured Angle
(degree)
-39
-14
Deviations
(%)
1.2
0.3
Table 3.2> Measurement of 1th order diffracted angle
Fig 3.4> Diffracted He_Ne laser (λ= 632.8nm, θm= -39°)
Fig 3
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of the Lumbosacral Intervertebral Disk." Journal of Bone Joint Surgery. 19:690. Ⅰ. 서 론 1
1. 연구의 필요성
2. 연구목적
3. 연구의 가설
Ⅱ. 연구방법
1. 연구대상
2. 연구절차 및 기간
3. 연구설계
4. 측정항목 및 처치방법
5. 자료처리
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Measurement of the Thermal Conductivity by Using the Transient Hot Wire Method, 공기조화 냉동공학회 ‘99하계학술발표회 논문집, pp.316-319, (1999)
13. S. P. Lee, Measuring Thermal conductivity of Ultrafine Particle-Fluid Mixture, 대한기계학회 1998년도 추계학술대회논문집B, pp,51-56,
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yield tiny hairpin-line resonator filter", MW&RF November 1999
[5] 곽우영,박진우, “ Hairpin Line 여파기의 간단화된 등가회로”, 한국통신학회논문지 99-9 Vol.24 N0.9A Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 설계 이론
Ⅲ. 설계 및 시뮬레이션
Ⅳ. 제작 및 측정
Ⅴ. 결 론
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