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일반물리학 (북스힐, 2001)
(6) 이준신 / 김도영 저, 평판 디스플레이 공학 (홍릉과학출판사, 2005)
(7) Kenneth Krane 저, 현대물리학 (汎韓書籍, 1998)
(8) 리차드 바이스 저, 빛의 역사 (끌리오, 1999) 1. 서론
2. 빛과 전자
3. 빛의 양자적 특성
4.
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-1] 각각의 장소에 센서 부착 ................................ 8
[그림 2-1] 다이오드의 전류흐름과 공핍층(depletion layer) ........ 10
[그림 2-2] p-n 다이오드의 전류-전압(I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 ..........
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저항하는 선도제품으로서의 기능을 수행할 수 있다고 생각한다.
셋째, 확장은 확장 속성과 제품 카테고리가 모 브랜드 이미지와 일치하는 정도를 포함한 다양한 기준에 의해 부적합하다고 인지될 수 있다.
마지막으로, 우리는 우리의 데이터
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-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
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-160
[10] "LCD Engineering", 성안당 2000.
[11] Claremicronix corp. Driving IC MXED102, MXED101
[12] TomatoLSI corp. TL047 목 차
1. 서론
2. OLED의 구조
2-1. Passive Matrix
2-2. Active Matrix
3.OLED의 System 계략도
3-1. 일반적인 System 계략도
3-2. OLED System Block Diagram
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