|
및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2).스퍼터링의 종류
|
- 페이지 16페이지
- 가격 2,300원
- 등록일 2006.12.27
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
반도체 공정
반도체 제조 및 설계/재료과학 17장
네킹
결함
고체결함
재료과학4장 결정결함과 비정질 결함 5장 확산
SI슬라이스
성분평가
X선결정학및실험
X선결정학 3,4장회절
코팅
박막증착
박막제조공정
박막제조공정/6장 스퍼터링7장CVD
7.
|
- 페이지 8페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2009.09.09
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
반도체 LED조명기술의 특성과 응용, 조명 전기설비 제20권 제3호, 2006.6 1. 들어가며
2. LED의 개념 및 특성
1) LED란?
2) LED의 발광 원리
3) LED의 특성
가) 작고 견고하며 수명 길어
나) 시인성 뛰어나
다) 친환경적이다
라) 자외선/적외선 방
|
- 페이지 12페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2011.07.26
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기술의 하나이다. 역사적으로는 19
|
- 페이지 7페이지
- 가격 1,200원
- 등록일 2013.12.06
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
이온주입 (ION IMPLAN-TATION)공정
회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어줌. 이러한 불순물주입은 고온의 전기로속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확
|
- 페이지 5페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2006.12.27
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|