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(mm)
바깥쪽(mm)
평균(mm)
8
66.5
22.78
28.08
25.43
28.08
51.76
39.92
9
74.5
20.86
39.18
30.02
26.40
46.57
36.485
10
82.5
20.31
37.06
28.685
25.92
43.83
34.875 Electron Diffraction
1. 개요
2. 이론
1) Bragg diffraction (브래그 법칙)
2) 전자총
3. 실험 방법
4. 실험 결과
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실험장치
- Electron diffraction. Tube a. mounting
- High voltage supply unit 0-10kV
- High-value resistor, 10 MOhm
- Power supply,0….600VDC
- Vernier caliper, plastic
- Connecting cord
4. 실험방법
● 그림과 같이 실험장치를 배치하고 전원공급 장치에 전자회절 튜브의 소켓을 연
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electron Diffraction, 전자 beam을 이용하는 Low Energy Electron Diffraction, Reflection High Energy Electron Diffraction, 원자 단위의 resolution을 가지는 Scanning Tunneling Microscopy, Atomic Force Microscopy 등을 다양하게 구사해야 한다.
5. 참고 문헌
물리학 실험 B-2 XPS manual
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회절선만 크게 나타나게 된다.
3) 방향성을 갖는 시편
2. 2θ 축으로 주사
3. θ축으로 주사
4. θ-θ축으로 주사
(3) 시료의 충진
1. 알루미늄 시료판
2. 유리 시료판
3. 무반사 시료판
(4)XRD 실험방법
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
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전자빔과 시편과의 상호작용
● 투과전자현미경(Transmision Electron Microscopy)
● 광학현미경과 전자현미경의 illumination system의 비교
● 명시야상 (Bright-Field Image)
● 암시야상 (Dark-Field Image)
● 회절패턴 (Diffraction pattern)
● 시편 제작 방
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실험을 진행하였다. 노광시간과 감광제 도포 조건에 대한 패턴 형상의 특성과 경향성을 고찰하였으며, 노광시간 55초와 감광제 도포 두께 150nm라는 공정 조건을 산출하였다. 이러한 과정을 거친 패턴을 이용해 반응성 이온 식각 공정을 적용,
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실험은 RF Magnetic sputtering 을 이용 하여 박막을 여러 조건 별로 성장하여 그 특성을 I-V 곡선을 이용하여 분석하고 전기적인 특성을 비교하였다. 이로써 NiO 박막을 이용하여 ReRAM을 구현 할 수 있다는 사실을 알 수 있는 실험이었다.
이번 실험은
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Electronic Devices and Circuit Theory, Robert L.Boylestad Louis Nashelsky | Prentice Hall
[7] 국립중앙과학박물관 www.science.go.kr
[8] 한국과학기술정보연구원 www.kisti.re.kr
[9] http://www.kitkorea.com
[10] http://www.avrmall.com/ishop/index.php
[11] http://www.terabank.co.kr
[12] http://www.elep
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
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