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브리지회로를 이용한 저항측정
9. 키르히호프 법칙의 검증
10. 오실로스코프 및 신호발생기의 사용법
11. 커패시턴스의 특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스코프의 x-
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브리지 회로를 이용하여 전파정류 회로를 만들어 결과를 확인 하는 실험이었는데, 입력파의 (+) 반주기 일때는 D1 , D3를 통과하고 D2 D4는 통과하지 못하고
입력파의 (-) 반주기 일때는 다이오드 D4 D2를 통과하고 D3 D1은 통과하지 못한다. 그리고
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은
(14)
식 (14)에서 이외를 0으로 하면
(15)
여기서
즉, (16 )인 관계가 성립된다.
다음에 j번째 폐로에 를 접속한 경우의 폐로 전류는
(17)
앞에서와 같은 방법에 의해
(18)
그런데 어드미턴스 행렬의 경우 상호어드미턴스 사이에는
인 관계가 성립
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브리지회로를 구성하여 커패시턴스 값을 측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q
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브리지 활용
그림16-9(pg236)의 회로를 구성한다. (R2,R3,R4 = 1kΩ)
직류전원 V=5V를 인가한다.
RT=1kΩ로 연결한후 V0을 측정하여 기록한다.
RT를 표16-5(pg236)의 저항으로 바꾸며 V0을 측정하고 기록한다.
Pspice 시뮬레이션
저항값이 증가함에 따라 전압값
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