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브리지(브릿지)와 휘트스톤브리지(휘트스톤브릿지)
Ⅵ. 브리지(브릿지)와 평형브리지(평형브릿지)
Ⅶ. 브리지(브릿지)와 만능브리지(만능브릿지)
1. 저항 계측
2. 인덕턴스 계측
3. 캐패시턴스 계측
Ⅷ. 브리지(브릿지)와 회로
Ⅸ. 결
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평형일때 C-D 사이에는 전류가 흐르지 않는다 KCL 에 의해
I1 = I2 , I3 = Ix
이의 Ix를 ①번식의 I3에 대입
이의 I1을 ②번식 I2 에 대입
, 를 연립하면
따라서 위와 같은 평형 브리지 회로에서
이므로 이다
▶ 계산과정
Calculated value Rx , Ω 1
5.고찰
-이
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브리지 공식을 사용하여 저항기 1의 저항값을 계산하고 표 16-1에 기록한다.
RX=R2/R1(R3)
7) 선택된 5개의 저항기들에 대해 실험과정 1～6을 반복한다. 미지의 저항기 각각에 대해 R3의 값, RX의 정격값, 허용 오차, 계산값 등을 표 16-1에 기록한다.
8)
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예 비 보 고 서
실험 23. 평형 브리지 회로
실험 24. 중첩의 원리
제목 : 실험 23. 평형 브리지 회로
1. 실험 목적
(1) 평형 브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 구한다.
(2) 평형 브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 이용하여 미지의 저항을 측
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브리지 회로에서 저항들 간의 관계를 확인한다.
(3) 노드 분석법(Nodal Analysis)와 메쉬 분석법(Mesh Analysis)를 확인한다.
2. 실험 기본 이론
(1) 평형브리지
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는, 스트레인 게이지 등 저항측정에 이용되는 회로이다.
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평형화
반도체 정류기에 공급전원이 불 평형시, 특히 제3고조파 발생이 크므로 각상의 부하의 밸런스를 유지할 것
계통절체
고조파의 원인과 발생을 정확히 알 수 있을 때 고압배전계통 수용가 공급분의 계통절체 또는 변전소 뱅크의 변경으
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