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브리지(브릿지)와 휘트스톤브리지(휘트스톤브릿지)
Ⅵ. 브리지(브릿지)와 평형브리지(평형브릿지)
Ⅶ. 브리지(브릿지)와 만능브리지(만능브릿지)
1. 저항 계측
2. 인덕턴스 계측
3. 캐패시턴스 계측
Ⅷ. 브리지(브릿지)와 회로
Ⅸ. 결
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단축 되는 것 같다. 표 23-1 에 보면 저항 색띠에 의해 4번째 색띠는 오차율을 나타내어 각 저항기의 오차율을 표현하는데 모두 금색띠로 5%를 나타내었다. 이러한 방법 말고도 를 이용하여 구할 수 있다. 회로도에서도 평형상태라는게 존재하는
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2개
4. 실험과정 Pspice로 구현 제목 : 실험 23. 평형 브릿지 회로
1. 실험 목적
2. 관련이론
3. 실험 준비물
4. 실험과정 Pspice로 구현
제목 : 실험 24. 중첩의 정리
1. 실험 목적
2. 관련이론
3. 실험 준비물
4. 실험과정 Pspice로 구현
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되는데 이를 방지하기 위해서 저항을 삽입한다. 여기서 중요한 것은 삽입된 저항은 실험에 영향을 미치지 않으므로 무시해도 된다. 테브난, 노턴 정리
최대전력 전달조건
평형 브릿지회로
테브난, 노턴 등가회로
[오차원인]
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예 비 보 고 서
실험 23. 평형 브리지 회로
실험 24. 중첩의 원리
제목 : 실험 23. 평형 브리지 회로
1. 실험 목적
(1) 평형 브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 구한다.
(2) 평형 브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 이용하여 미지의 저항을 측
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평형화
반도체 정류기에 공급전원이 불 평형시, 특히 제3고조파 발생이 크므로 각상의 부하의 밸런스를 유지할 것
계통절체
고조파의 원인과 발생을 정확히 알 수 있을 때 고압배전계통 수용가 공급분의 계통절체 또는 변전소 뱅크의 변경으
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