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에서는 10 의 온도상승에 대해 2배 증가하는 수도 있다. 암전류 값은 1nA 이하값에서 수백 nA 이상까지 넓게 걸쳐 있다. 일반적으로 실리콘 검출기는 암전류가 가장 작고 InGaAs은 이보다 약간 크며 게르마늄 다이오드는 가장 큰 암전류를 가지는
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직류에 더 가까워진다. 1. 다이오드
2. 실험결과
실험 1. Diode test 및 극성의 결정
1) DMM을 사용한 극성 결정
2) Diode의 특성곡선
실험 2. 정류회로 제작
1) 반파 정류 회로의 제작
2) 전파 정류 회로의 제작
3. 실험에 대한 고찰
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포토 다이 오드로 수광하면 응답속도는 빨라지지만 변환효율은 떨어진다. 또 응답시간은 입력순전류 (IF)와 부하 저항 (RL)에따라 변화한다. 특히 RL에대한 의존성이 높고 회로설계시에는 고려해둘 필요가 있다. Ⅰ.포토 다이오드(photo diode)
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Photo diode
(1) 정의
포토다이오드는 광에너지를 전기 에너지로 변환하는 광센서의 일종이며 그 구성은 반도체의 PN 접합부에 광검출 기능을 추가한 것이다.
(2) 특징
1) 플래너 구조이기때문에 diode특성이 좋고 부하를 걸었을때의
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포토다이오드
2.포토트랜지스터
3.포토사이리스터
4.태양전지
포토다이오드의 동작원리와 종류별 특징
포토드랜지스터의 동작원리와 종류별 특징
광전자 방출형 센서
1.광전과
원리와 구조 및 특징
2.광전자 증배관
원리와 구
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