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것이 일반적이고, 선저항은 두개의 probe로 임의의 거리에 대한 저항을 측정하지만, 면저항의 경우에는 동일한 간격의 4개탐침으로 측정하게 된다.이때 쓰이는 Probe가 4 point probe이고, 일반적으로 탐침은 1mm간격으로 일렬구성된 probe를 사용하며
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3. 실험결과
박막의 종류
박막의 두께
시편의 크기
측정 전류
측정 전압
측정 면저항
계산 면저항(이론값)
2조 IZTO(n-type)
340nm
1.5*1.5
100mA
275.8mV
12.38
12.1
4 point probe의 보정계수는 4.53이고 전류범위는 auto로 설정해 놨는데 이때 전류의 범위를 잘못
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4-Point Probe를 이용하여 4-Point Probe의 Probe(탐침)을 내려 각 시료마다 5회씩 면저항을 측정한다.
③금속과 반도체의 전기적 특성과 연관 지어 데이터를 정리한다.
면저항 시험 장치
4. 실험결과
시편
면저항
두께
ITO
8.46
100
FTO
7.5
100
실리콘 웨
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두가지 방법에 대해 알게 되었고, 그중 우리가 실험한 4-Point probe method방법에대해 더 자세히 알게 되었다, 조사를 통해, 면저항의 정의가 얇은 막의 저항 값을 특징짓는 지표로, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시 된다는 것을 조사를
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두가지 방법에 대해 알게 되었고, 그중 우리가 실험한 4-Point probe method방법에대해 더 자세히 알게 되었다, 조사를 통해, 면저항의 정의가 얇은 막의 저항 값을 특징짓는 지표로, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시 된다는 것을 조사를
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