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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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실험 목적
여러 종류의 FET바이어스 회로 동작을 이해.
JFET의 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정.
공핍형 MOSFET의 Zero바이어스 회로의 동작점을 결정.
증가형 MOSFET의 Drain 궤환 바이어스 회로의 동작점을 결정.
바이어스 동작점의
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e at the gate>
<그림15 linear region일때 MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 off
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파장을 불러오지는 못했다.
직경이 2-3nm인 p-형과 n-형의 단결정 실리콘 나노와이어를 이용하여 우수한 성능의 FET를 재현성 있게 얻을 수 있다. 나노와이어는 탄소나노튜브와는 달리 합성 과정에서 전자 특성을 쉽게 제어할 수 있다. 실리콘 나
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FET의 동작 모습이 BJT와 유사하기 때문에 어렵지 않게 실험을 통하여 이해할 수 있었으며, 다이오드와 캐패시터에 이해가 잘 되어있어서 Bonus Quiz의 회로에 대한 동작 이해를 잘 할 수 있었다.
B. 부족한 점
실험에서 잘 사용하지 않았던 BJT pnp형
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