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FET 특성실험 시뮬레이션
실험순서 (1)부터 (11)의 시뮬레이션
실험 (13)의 시뮬레이션
실험 (17)에서 (22)까지의 시뮬레이션
V_GS
가 -0.8[V]에서 0[V]까지일 때의
I_D
V_GS
가 -0.8[V]에서 0[V]까지일 때의
I_D
실험 (25)의 시뮬레이션
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실험 30 FET 증폭기 특성 시뮬레이션
실험 순서(3)에 의한 입력 및 출력파형
입력파형
출력파형
실험 순서 (5)
Rd를 4.7k로 바꾸었을 때 출력
Rd를 680으로 바꾸었을 때 출력
실험 순서(6)
R_G
를 10k로 바꾸었을 때 출력파형
R_G
를 1M로 바꾸었을 때
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시뮬레이션 결과
(1) 공통 소스 증폭기 (Common source Amplifier)
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier) 1. 실험목적
2. 관계이론
(1) 공통 소스 증폭기 (Common source Amplifier)
(2) 공통 드레인 증폭기 (Com
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FET의 종류는 다음과 같이 4가지가 있다.
1)D형 n채널 MOS FET 2)D형 p채널 MOS FET 3)E형 n체널 MOS FET 4)E형 p채널 MOS FET
3. JFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
VGG 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 3.5v까지 측정 )
시뮬레이션 결과 )
y축 상단에
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시뮬레이션 결과
교류 입력전압 V(in)에 대하여 약 3.5배의 교류 출력전압 V(out)가 출력됨을 알 수 있다. 제14장 트랜지스터, FET 기본회로
14-1 트랜지스터의 Vce-Ic 특성
14-2 트랜지스터의 Ic-Vbe 특성
14-3 트랜지스터의 hfe-Ic 특성
14-4 트
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