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없을 때를 total deep depletion Ⅰ. C-V Introduction
Ⅱ. I-V measurement
1. Introduction
2. Metal-Insulator contacts
3. Image-force effect
4. Conduction mechanism
(1) Electrode-limited current
(2) Bulk-limited current
5. 실제 Data
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bulk current in the insulator
(3) Poole-Frenkel conduction
(4) Hopping conduction
(5) Space charge-limited conduction
V. I-V measurement with HP4145B
1. 측정목적
2. I-V 측정 장비의 구성
2.1 Probe station의 사용법
2.2 측정 장비(HP 4145B )
2.3 Interface computer
V. Reference
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I-V measurement를 이용하여 결과 값을 확인하는 작업을 끝으로 실험은 종결되었다.
FF를 통하여 효율 값을 확인하였는데 4명의 조원들의 가장 높은 효율을 알아본 결과 3.38%, 3.36%, 3.26%, 3.03%와 같은 효율이 나왔다. 실험을 하면서 기판을 다룰 때
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iciency
εCC：charge collection efficiency
εA는 반도체 재료 자체와 소자의 광흡수능에 의존하며, εED와 εCT는 각각 exciton의 수명과 전하 수송도를, 그리고 εCC는 전극에서 전하의 수집 효율을 나타낸다. 유기 반도체의 경우 매우 높은 광흡수 계수를 가
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