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Schottky) current
(2) Tunnel current
3.2 Bulk-limited currents
(1) Charge density in the insulator
(2) General bulk current in the insulator
(3) Poole-Frenkel conduction
(4) Hopping conduction
(5) Space charge-limited conduction
V. I-V measurement with HP4145B
1. 측정목적
2. I-V 측정 장
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없을 때를 total deep depletion Ⅰ. C-V Introduction
Ⅱ. I-V measurement
1. Introduction
2. Metal-Insulator contacts
3. Image-force effect
4. Conduction mechanism
(1) Electrode-limited current
(2) Bulk-limited current
5. 실제 Data
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I-V 특성 측정
- 옆에 나온 사진은 p-type 기판위에 Al을 도핑한 I-V특성을 측정한 것이다. -5V~5V까지 전압을 걸어서 이에따른 전류의 변화를 확인해 보았다.
그 결과 우리가 이론적으로 알고 있었던것과는 조금 다른 변형된 Schottky Contact 모양을 얻
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don’t need doping to obtain a high electron density.
4. Contacts
- Source / Drain : Ohmic contact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor.
- Gate : Schottky contact, controlled transistor to turn on / off.
5. Summary 1. What’s HEMT?
2. 2DEG
3. Polarization
4. Contacts
5.
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I-V measurement를 이용하여 결과 값을 확인하는 작업을 끝으로 실험은 종결되었다.
FF를 통하여 효율 값을 확인하였는데 4명의 조원들의 가장 높은 효율을 알아본 결과 3.38%, 3.36%, 3.26%, 3.03%와 같은 효율이 나왔다. 실험을 하면서 기판을 다룰 때
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Schottky Contact과 Ohmic Contact 16
1. Schottky Contact 17
2. Ohmic Contact 20
제 5 절. Poole-Frenkel 효과 23
1. 두꺼운 절연체 (트랩 無) 23
2. 두꺼운 절연체 (트랩 有) 24
3. 두꺼운 절연체 (트랩 有 or 無 ) 25
제 6 절. Fowle
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