|
LED 소자 구조
가. GaN 기판 제작
다공성 GaN 성장을 통한 경제적인 GaN 기판 제작
나. N-GaN Cladding Layer 성장
Ga-Si 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 N-GaN Cladding Layer 성장
다. InGaN Active Layer 성장
Ga-In 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 In0.20Ga0.80N Active Layer 성
|
|
|
LED로부터 유용한 광량을 발생시킬 수 있게 된 것은 초기의 표시등보다 훨씬 더 높은 광 출력을 가진 AlGaInP와 InGaN LED의 발전이 있고 나서였다. 게다가 이러한 물질들은 가시광 스펙트럼 영역에서 최고의 파장을 갖는 LED를 제조할 수 있게 했다.
|
|
|
LED 구현 방법
<그림5> 직렬구동회로와 광출력 증배회로
<그림6> 일정 출력광 유지회로와 교류 구동회로
<그림7> 직병렬 구동회로
<그림8>단일칩 White LED의 개략도
<그림9> 단일칩 White LED의 특성
<그림10> InGaN LED의 색도
|
|
|
LED에서는 GaAlAs와 같은 3원계, 혹은 InGaAlP와 같은 4원계 조성의 화합물 반도체 박막성장이 필요하게 된다. 녹색 LED의 경 우에는 처음에는 GaP로 구현되었는데, 이는 간접천이형 재료로서 실용적인 순녹색 발광이 얻어지지 않았으나, 추후 InGaN의
|
|
|
넓은 범위의 밴드갭 조절 가능
: 적외선 가시광선, 자외선
총 천연색 발광소자 가능
Red (InGaAlP/GaAs)
Green (InGaN/GaN)
Blue (InGaN/GaN)
UV (InGaAlN/GaN)
고온- 고전압 등의 악조건에서 내구성이 양호 LED란
White LED 의 정의
White LED 의 구현
|
|
메뉴펼치기
