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charge
(1) interface-trapped charges
Silicon과 Silicon Oxide의 경계에서 발생한다. Silicon-forbidden bandgap에 energy states를 가진다. Oxidation 과정, metallic impurities 혹은 bond-breaking process과 연관되어 생긴다.
(2) fixed oxide charge
Silicon과 Silicon Oxide의 경계에서부터 약 3
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charge
2.2.1 General information
2.2.2 Mobile ions
2.2.3 Fixed charge
2.2.4 Interfacial traps
2.2.5 Oxide trapped charge
3. C-V measurement and main uses of C-V curve
3.1 C-V curve의 장단점
3.2 Criteria for impedance measurement
3.2.1 Basic equipments for impedance measureme
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trapped charge)
이 전하는 역시 양이나 음전화가 될 수 있으며, 산화막내에 포획된 정공이나 전자에 기인된다. 이온화를 일으키는 방사광으로부터 이와 같은 전하들이 발생되면 대부분 양전하가 포획된다. 생성되는 전하는 방사광 도즈에 비례하
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Interface)
구현 Compiler 중 우리는 C++을 택해서 했다. PLL이 각 Part별로 구성되어 있기 때문에 역할 분담을 해서 구현 하기에 C++ 의 Class 개념을 쓰는게 좋다고 생각해서이다.
전체적인건 C++의 Class 개념( 객체를 만들기 위한 틀이나 모형을 의미한다
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Interface
3) 미착관리 System Interface : File No-차순별로 미착관리 System에 원가 Data Monthly Interface
4) 원가대체 : 월 1회 매월 마지막 날 Batch로 미착상품(재료) 회계 수불에 Data Interface
① 결제대 : 미착상품(재료)(외상매입설정)및 외상매입(미착) 반제
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