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원리 / 특징
■ 원리와 기능
▲ 중력(침강) 집진기
▲ 관성력 집진장치
▲ 원심력 집진기 (Cyclone Dust Collector)
▶ 원심력 집진기 직렬연결
▶ Multiclone (병렬 연결)
▲ 세정집진장치
▲ 여과 집진장치
▲ 전기집진기
전기집진 신기술
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저온기기
일본의 발달과정
한국의 발달과정
세계의 주요 가스회사
공기분리방식의 선택기준
막(Membrane)분리
흡착분리 - PSA(Pressure Swing Adsorption)
공기분리방법의 비교
공기의 물성
초저온 공기분리의 특징
초저온 공기
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플라즈마 CVD 장치에 대한 개략도이다. 기판은 접지된 전극측에 놓이며, 막을 균일하게 성장시키기 위하여 마주 보는 전극으로부터 원료기체를 내려오게 한다.
③ 열 화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)
열 CVD방법은 생성물이나 원료가
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막 형성법
1-6)흡착방법
1-7)CVD(화학적 증착법)
화학적 증착법의 종류
1)열분해법
2)수소 환원법
3)화학 반응법
4)광화학 반응법
열CVD
1)열 CVD의 장점
2)열 CVD의 단점
3)열 CVD 방식
플라즈마 CVD
대표적인 플라즈마 CVD 특징과
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막을 이용한 연구를 진행 중임.
Syntroleum사는 산소를 분리하지 않고 공기를 직접 사용하는 ATR방식을 개발함.
이 외에도 저온 플라즈마를 이용한 천연가스 개질 기술에 대한 연구가 이루어지고 있음.
GTL 플랜트에서 운전비용을 절감하고 생산성
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플라즈마
상태를 유지하게 된다.
알곤플라즈마는 토오치 위에 불꽃형태(직경 12~15nm, 높이 약30nm)로
생성되지만 온도, 전자 밀도가 가장 높은 영역은 중심축보다 약간 바깥쪽
(2~4nm)에 위치한다.
이와같은, ICP의 구조는 중심에 저온, 저전자 밀
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막형성을 행하는데, 이 과정에 서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다.
(3) 光 CVD
빛을 조사하여 광화학반응에 의해 박막형성을 하며, 플라즈마법과는 달리 반응과정 중에 고에너지의 하전 입자나 전계가 관여하지 않으므로 하
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막기 위해 시편의 온도를 높게 유지하고 전류밀도를 높이는 방법이 종종 쓰이지만 이는 기판을 무르게 하거나 뒤틀리게 할 수도 있다. 따라서, 많은 PAPVD법에서 압력은 3～5mtorr 범위로 유지하고 기판을 움직여 코팅을 균일하게 하려고 노력한
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막을 파괴하여 미생물을 사멸시킨다.
② 저온처리 : 열에 약한 액체는 63℃에서 30분간 저온살균하거나 72℃에서 15초간 순간저온살균한다. 냉장이나 냉동법을 이용해 미생물의 생장이나 증식을 억제할수 있다.
③ 여과 : 미생물은 섬유여과나
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여과의 차이점을 서술하시오(5점)
1) 공통점 : 압력차에 의하여 용액중의 성분을 분리
2) 차이점 :
? 한외여과
? 저압을 이용
? 염류와 같은 저분자 물질은 막을 투과시키지만 단백질과 같은 고분자 물질은 투과시키지 못함
? 역삼투압
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