트렌지스터를 이용한 증폭회로 설계 방법

목차

> 트랜지스터의 규격

<디지탈 회로에서 사용법 >

> 전압레벨 변환 방법

<아날로그 회로에서 사용법>
1. 컬렉터 저항（Rc)의 결정
2. 이미터 저항（Re）의 결정
3. 베이스 저항（R1과 R2）의 결정
4. 커플링 콘덴서(Cin)의 용량결정
5. 바이패스 콘덴서（Ce）의 결정

본문내용

6 = 1.0V）
다음에 필요한 베이스 전류（Ib)를 전류 증폭율(hfe)에 의해 계산하면
Ib = Ic ÷ hfe（예：2mA÷100 = 0.02mA　hfe=100）가 됩니다.
여기에서 베이스 저항은 베이스 전류의 １０배 이상의 전류가 흐르게 하여 베이스전류 및 베이스 전압이 변동하지 않도록 하며 R1，R2는 다음과 같이 계산합니다.
R1 = （Vcc - Vb) ÷（10×Ic）, R2 = Vb ÷ (10 × Ic)
(예：R1=(5V-1V)÷10×0.02mA=20KΩ　　R2=1V÷(10×0.02mA)=5KΩ ）
4.커플링 콘덴서(Cin)의 용량결정
교류신호를 증폭하는 경우는 직류전압과 무관하게 하기 위해 커플링 콘덴서（Cin）가 필요해집니다．이 값은 입력신호의 최저 주파수（ｆｃ）에 대하여 충분히 무시할 수 있는 임피던스가 되도록 해야 합니다. 입력용 콘덴서 Cin 은 트랜지스터의 입력 임피던스를 Rin이라고 한다면
ｆｃ ＞　１÷（2π × Rin × Cin) 이 되도록 정해야 하며 입력 임피던스 Rin은 대략 R1과 R2의 병렬 저항값이 됩니다.
예：ｆｃ를 20Hz라고 할때 Cin > １／(6.3 × 4KΩ × 20Hz) = 2μF
Cｉｎ = 4.7μF 정도를 사용하면 좋습니다,）
5. 바이패스 콘덴서（Ce）의 결정
이미터의 콘덴서도 최저 주파수에 대하여 충분히 낮은 인피던스가 되도록 정해야 하며
Ce ＞ １÷（２π × ｆｃ × Re）로 구합니다．
예：　Ce＞１／（6.3×20Hz×200Ω）=40μF　→ Ce=100μF）
《참고》직류증폭시는 Cin이나 Ce는 불필요 하기 때문에 사용하지 않아도 좋습니다.

키워드

트렌지스터,   증폭회로 설계,   증폭회로,   설계방법,   디지탈 회로,   전압레벨,   transistor