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단에서 요구하는 high level의 최저 입력전압 Vih,min(TTL의 경우 2.0V)보다 높게 출력된다.
이들 입출력 전압레벨 사이의 차가 각각 low level 및 high level에서의 잡음여유가 된다. 따라서, TTL에서 저전압 레벨 잡음여유는
Vil,max - Vol,max = 0.8 - 0.4 = 0.4V
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회로에서 사용법 >
> 전압레벨 변환 방법
<아날로그 회로에서 사용법>
1. 컬렉터 저항(Rc)의 결정
2. 이미터 저항(Re)의 결정
3. 베이스 저항(R1과 R2)의 결정
4. 커플링 콘덴서(Cin)의 용량결정
5. 바이패스 콘덴서(Ce)의 결정
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전압의 HIGH가 CMOS의 입력 HIGH보다 낮은 경우가 발생하므로 이 부분을 보상하기 위해 PULL UP 저항 15㏀이 사용되었다. 4001핀 1번에 다소 낮은 전압이 걸릴 경우도 있기 때문에 실험 값에 주의할 필요가 있다.
CMOS는 MOSFET방식이다. 즉 반도체에 적
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전압레벨을 OV로 맞춘 후, 오실로스코프 프로브를 CH 1의 단자에 접속하여라.
- DC 전원공급장치의 CH 1 입력 전압레벨을 증가시키면서 오실로스코프 화면상에 나타난 파형을 그려라.
AC전압측정
- 오실로스코프의 결합스위치를 AC로, 수직감도 1V/
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전압 상태에
머물고 비반전 입력이 반전 입력전압보다 낮으면 저전압 레벨로 바뀌게 된다. 우리가
했던 실험은 고전압레벨 실험이다. 먼저, Vref값을 정한 후 Vref보다 높은 전압을 가
지면 출력이 High가 되어 LED에 불이 켜지는 실험을 하였다.
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