MOS 증폭기 실험

소개글

MOS 증폭기 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1) n-채널 MOS의 Vt값 측정 및 I-V 특성 실험

2) MOS 증폭기 실험

본문내용

elay를 관찰할 수 없다.
이득을 계산하기 위해서 다음과 같은 수식을 사용하였다.
, ,
측정한 값은 VGS = 2.54V, Vt= 0.36V이고, K = 5.6 ×10-4 이므로 gm = 1.22×10-3과 ro = 585.714의 값을 얻을 수 있다. 이를 이용해 Av를 계산해보면, Av = 0.64의 값을 얻는다. 하지만 이 때 사용한 K값의 오차가 10배 정도였기 때문에 이러한 값이 나오게 된 것으로 보인다.
드레인 접지 증폭기의 경우에, 증폭이득은 다음과 같은 식으로 나타난다.
이와 같이 드레인 접지 증폭기의 경우에는 전압이득이 1보다 작게 나타난다. 이와 같은 형태의 증폭기를 Source Follower라고 한다. 이와 같은 Source Follower는 출력저항을 작게 만들 수 있다. 일반적으로 회로는 입력저항이 커서 입력단에서 전류가 많이 흐르지 못하고, 출력저항이 작아서 Load에 최대의 Power가 전달되도록 해야한다. 이 때, MOS의 경우에는 Gate가 단락되어 있으므로 입력저항은 무한대가 된다. 그리고 이러한 Source Follower를 이용하여 버퍼를 만드는데, 이때 버퍼의 Gain은 1이 되도록 하고, 출력저항을 작게 만든다.

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