목차
□ 실험 목적
□ 관련이론
□ 사용 및 계기 부품
□ 실험 방법
□ 실험결과
□ 결론
□ 고찰
□ 관련이론
□ 사용 및 계기 부품
□ 실험 방법
□ 실험결과
□ 결론
□ 고찰
본문내용
.757[V]
2.5[V]
18.601[mA]
1.29[V]
1.235[V]
3.0[V]
18.779[mA]
1.776[V]
1.728[V]
결론
VCC를 증가시키면 IC가 급격히 증가하다가 어느 순간(포화영역)부터 거의 일정한 값을
유지하는 것을 확인 할수 있다. VCC = VCE + RC IC 의 관계를 통하여 VCE 와 IC 의 값을 이론적으로 구할 수 있고, 를 통하여 전류 증폭률 를 구한결과 각각 356, 395, 350 의 전류증폭률을 구할 수 있었다.
고찰
지난 번 다이오드 정류회로 때처럼 전자회로 시간에 배운 부분이라 이론적인 이해는 어느
정도 하고 시작했다. 트랜지스터의 특성곡선을 막연하게 저렇구나 하고 생각했었는데 VCC의
값을 변화시키면서 IC 의 값들을 직접 구하고 VCE 의 값들도 구하여 직접 그래프를 그려
볼 수 있었다. 레포트를 작성할 때 실험 자료에 대한 그래프를 어떻게 그리는지 몰라서
고생을 했다. 실험 결과는 두 번째 VB= 6.6 [V] , IB= 0.03 [mA] 실험에서 VCE 의 측정값과 이론 값의 오차가 발생하였는데 첫 번째 , 세 번째 실험은 미세한 오차를
제외하고 거의 일치하는 것을 볼 수 있었다.
2.5[V]
18.601[mA]
1.29[V]
1.235[V]
3.0[V]
18.779[mA]
1.776[V]
1.728[V]
결론
VCC를 증가시키면 IC가 급격히 증가하다가 어느 순간(포화영역)부터 거의 일정한 값을
유지하는 것을 확인 할수 있다. VCC = VCE + RC IC 의 관계를 통하여 VCE 와 IC 의 값을 이론적으로 구할 수 있고, 를 통하여 전류 증폭률 를 구한결과 각각 356, 395, 350 의 전류증폭률을 구할 수 있었다.
고찰
지난 번 다이오드 정류회로 때처럼 전자회로 시간에 배운 부분이라 이론적인 이해는 어느
정도 하고 시작했다. 트랜지스터의 특성곡선을 막연하게 저렇구나 하고 생각했었는데 VCC의
값을 변화시키면서 IC 의 값들을 직접 구하고 VCE 의 값들도 구하여 직접 그래프를 그려
볼 수 있었다. 레포트를 작성할 때 실험 자료에 대한 그래프를 어떻게 그리는지 몰라서
고생을 했다. 실험 결과는 두 번째 VB= 6.6 [V] , IB= 0.03 [mA] 실험에서 VCE 의 측정값과 이론 값의 오차가 발생하였는데 첫 번째 , 세 번째 실험은 미세한 오차를
제외하고 거의 일치하는 것을 볼 수 있었다.
추천자료
[공과대]-OP AMP실험 레포트1
멀티바이브레이터
공통이미터(CE : Common Emitter) 증폭기
(실험 보고서)JFET 공통 소스 증폭기 실험 및 시뮬레이션
n,p형반도체와 재너다이오드 그리고 리소그래피기술 (lithography)
PN 다이오드 및 Lithography 기술에 대해 조사.
전자회로 실험 JFET특성
무선 AP용 Power Amplifier 설계
40.슈미트_트리거(예비)
전자공학실험 상보전력증폭기(push-pull) 실험보고서 <상보전력증폭기의 특성>
8255A의 입출력 제어(LED스위치)
전자회로실험 교안
실험 9. 741OP-AMP 해석 실험
[설계보고서] 05.전기기기 전원부의 정전압 및 정전류 회로 설계 (결과레포트) : 정전압 및 ...
소개글