반도체 소자의 형명 및 판별법

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목차

1.반도체 소자의 형명 및 판별법

본문내용

실험 보고서 4
학과
학년
학년
학번
성명
실험조
조
조원
실험일
2010 년 3 월 15 일
제출일
2010 년 3 월 21 일
1. 실험 제목 : 반도체 소자의 형명 및 판별법
2. 실험 목적 : 반도체 소자의 형명 구성을 이해한다.
Proteous 내의 반도체 소자 심볼 확인한다.
RLC-기본 소자 시뮬레이션 제작해 본다.
2-1 반도체 소자의 형명 판별법
반도체(Semiconductor) 소자에 대한 형명은 미국에서는 1N.., 2N...., 3N... 등의 JEDEC 규정에 의하여 쓰고 있고 고라파에서는 로마와 숫자의 조합으로 표시되고 있으며, 일본에서 쓰고 있는 형명은 일본공업규격 JIS와 일본전자기계 공업회 표준 규격인 EIAJ에 의한 표시로 2SA.., 2SB..., IS..., 2SF..., 2SM..., 등의 형명이 사용되고 있으며 우리나라에서는 주로 일본 형명 호칭법을 많이 사용하고 있다. 형명구성은 5항으로 되어 있고, 각각의 뜻은 다음과 같다.
2
S
A
735
A
1항
2항
3항
4항
5항
1항의 숫자
반도체 소자의 종별을 나타내고, 숫자의 정류성 접합의 수와 동일하다.
2항의 문자
반도체의 뜻 Semiconductor의 머리글자이다.
3항의 문자
반도체 소자의 극성과 용도를 나타내며, E와 I는 혼동의 염려가 있어 쓰지 않는다.
4항의 숫자
1항의 숫와 3항의 문장에 의해 구별된 종별마다 11부터 시작되는 추가등록번호이다.
5항의 문자(첨자)
A~M까지의 알파벳으로 개량된 순서를 나타내거나 전류증폭융을 나타내며, 극성만 반대인 역극성 다이오드를 나타낸다.
2 S C 735 Y
제1항 제2항 제3항 제4항 제5항
항
정의
실례
제1 항
원칙으로 소자의 유효 전극의 수에서 1을 뺀 수로 표시 (숫자)
0 → 포토 다이오드나 포토 트랜지스터
1 → 다이오드
2 → 트랜지스터 및 게이트 1개의 FET
3 → 게이트 2개의 FET
제 2 항
반도체
(Semiconductor)를 표시한다 (문자)
S → 반도체를 표시한다.
제 3 항
극성과 저주파용인가 고주파용인가를 표시한다. (기타의 알파베트는 종류를 표시한다.) (문자)
A → PNP 고주파용
B → PNP 저주파용
C → NPN 고주파용
D → NPN 저주파용
F → P게이트의 제어
정류소자(PNPN형)
G → N게이트의 제어
정류소자 (NPNP형)
H → 단접합 트랜지스터
J → P 채널전계 효과형
K → N 채널전계 효과형
M → 쌍방향성 제어
정류소자
제 4 항
원칙으로 11에서 시작하여 연번호로 등록 순으로 부여한다. (숫자)
제 5 항
이항은 일반적으로 기입 아니하나 원형소자의 개량품인 경우 그 번호 뒤에 ABCDEFGHJKMY를 순서적으로 큰 문자를 붙인다. 이 알파벳이 부착된 것은 원형에 대신하여 사용할 수가 있으나 동일 특성으로 되지 않는다. hfe (전류증폭율 표시의 경우, 단위 : [mA])
→ 0(70~140) Y(120~240) GR(200~400 BL(350~700)
2-2 Proteous 내의 반도체 소자 심볼 확인
TR(NPN,PNP) / 일반다이오드(1N60,1N4001등) /
LED(백색, 적색, 등색등) / FET / UJT /
SCR / TRIAC / Photo TR
2-3 R/L/C-기본 소자 시뮬레이션 제작
1-전류전압(전압측정)
2-battery(내부저항)
3-Capacitor(충방전)
4-Inductor(릴레이복원특성).
5-Diode(diode6)
6-Transistor(Tran6)
7-OP-AMP(opamp01)
8-발진기 (Osc01-LC발진기)
9-Gate
12-OsCiloscope.

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