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실험 보고서 4
학과
학년
학년
학번
성명
실험조
조
조원
실험일
2010 년 3 월 15 일
제출일
2010 년 3 월 21 일
1. 실험 제목 : 반도체 소자의 형명 및 판별법
2. 실험 목적 : 반도체 소자의 형명 구성을 이해한다.
Proteous 내의 반도체 소자 심볼 확인한
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반도체 소자의 형명 구성을 이해하고 극성 판별 및 부품 점검, 방법 등을 알아보는 실험이었다. 반도체 소자 각각의 방법 등을 이해하고 표에 요약을 해보니 한눈에 알아볼 수 있어서 나중에 필요할 때 바로바로 찾아 볼 수 있을 정도가 되었
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2) 증폭 작용
7. 트랜지스터의 분류
기본 분류
1) 트랜지스터
2) 전계 효과 트랜지스터 (FET)
8. 트랜지스터 판별법
1) 리드의 위치 판별
2) 형명 표시법
3) 규격표 보는법 (트랜지스터의 데이터시트 보는법)
9. 조사를 마치며
참고자료 출처
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반도체 소자, 대웅출판사 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 다이오드의 전압?전류 특성
Ⅲ. 다이오드의 극성 판별법
Ⅳ. 포토다이오드
1. 동작원리
2. PHOTO DIODE 의 대표 특성
1) V-I 특성
2) 분광감도
3) 응답특성
4) 암전류
3. 형상
Ⅴ. 발광다이오
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마일러콘덴서
세라믹콘덴서
탄탈콘덴서
정전 용량: 2[pF]= 200[pF]= 0.0002 [F]
정격 전압: 100 [V]
허용 오차: 20% Ⅰ.교 재 관
Ⅱ.학 생 관
Ⅲ.지 도 관
Ⅳ.평 가 관
Ⅴ.교재 및 단원관
Ⅵ.본시 학습 지도안
Ⅶ.형성평가지&답안
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