목차
1. 목적
2. 서론
3. 실험 부품 및 기기
4. 실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
2. 서론
3. 실험 부품 및 기기
4. 실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
본문내용
보여주고 β가 Darlington 회로에서 얼마나 증폭하는가를 확인하고자 한다.
2. 서론
어떤 증폭기든지 그 중요한 특징은 그 입력 저항이다. 이미 반도체 이론에서 배운 것과 같이 콜렉터 접지 증폭기의 입력 저항은 트랜지스터의 β에 에미터 저항을 곱한것과 같음을 알 수 있을 것이다. 이를 식으로 표시하면 이다.
이와 같은 것을 쉬운 방법으로 보여주기 위하여 저항을 RC회로의 저항으로 사용하여 β와 의 값을 변화시켜 의 시정수를 변화시키는 것이다. 이때 이 시정수를 조심스럽게 측정함으로서 에 미치는 영향을 결정할 수 있다.
3. 실험 부품 및 기기
전자실험기(ED-2100) : NO-2101
1대
전압계(VOM)
1대
Oscilloscope
1개
100Ω 저항; 10%, 1/4W
1개
1000Ω 저항; 10%, 1/4W
1개
2kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
10kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
100kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
100㎊ 콘덴서
1개
1000㎊ 콘덴서
1개
0.1㎌ 콘덴서
1개
실리콘 다이오드(1N4002)
1개
NPN 트랜지스터
2개
4. 실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
6. Time = 850 ㎲
Volts/cm = 15.02 , Time/cm = 5cm
9. Time = 95 ㎲(
10. 가. 100kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 1000 ㎲
나. 10kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 100 ㎲
14. Time = 1520 ㎲
16. Time = 1900 ㎲
20. Time = 360 ㎲
22. Time = 3800 ㎲ → 3440 ㎲ 만큼 길다.
2. 서론
어떤 증폭기든지 그 중요한 특징은 그 입력 저항이다. 이미 반도체 이론에서 배운 것과 같이 콜렉터 접지 증폭기의 입력 저항은 트랜지스터의 β에 에미터 저항을 곱한것과 같음을 알 수 있을 것이다. 이를 식으로 표시하면 이다.
이와 같은 것을 쉬운 방법으로 보여주기 위하여 저항을 RC회로의 저항으로 사용하여 β와 의 값을 변화시켜 의 시정수를 변화시키는 것이다. 이때 이 시정수를 조심스럽게 측정함으로서 에 미치는 영향을 결정할 수 있다.
3. 실험 부품 및 기기
전자실험기(ED-2100) : NO-2101
1대
전압계(VOM)
1대
Oscilloscope
1개
100Ω 저항; 10%, 1/4W
1개
1000Ω 저항; 10%, 1/4W
1개
2kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
10kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
100kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
100㎊ 콘덴서
1개
1000㎊ 콘덴서
1개
0.1㎌ 콘덴서
1개
실리콘 다이오드(1N4002)
1개
NPN 트랜지스터
2개
4. 실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
6. Time = 850 ㎲
Volts/cm = 15.02 , Time/cm = 5cm
9. Time = 95 ㎲(
10. 가. 100kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 1000 ㎲
나. 10kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 100 ㎲
14. Time = 1520 ㎲
16. Time = 1900 ㎲
20. Time = 360 ㎲
22. Time = 3800 ㎲ → 3440 ㎲ 만큼 길다.